Número do Produto do Fabricante:
TSM3N100CP ROG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM3N100CP ROG-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 2.5A (Tc) 99W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventário:
12896875
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TSM3N100CP ROG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
664 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
99W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252 (DPAK)
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
TSM3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TSM3N100CP ROGCT-DG
TSM3N100CP ROGDKR
TSM3N100CP ROGCT
TSM3N100CP ROGTR
TSM3N100CP ROGDKR-DG
TSM3N100CP ROGTR-DG
TSM3N100CPROGCT
TSM3N100CPROGDKR
TSM3N100CPROGTR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STD3NK100Z
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1359
NÚMERO DA PEÇA
STD3NK100Z-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.95
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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